氧化镓雷达？就不让别人过了是嘛？ 什么是氧化镓？
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中国在第四代半导体氧化镓领域的技术进展已实现对西方的反超。
技术代际差异：氧化镓作为第四代超宽禁带半导体，禁带宽度达 4.9，是硅的 20 倍以上，理论能量损耗仅为硅的三千分之一、氮化镓的三分之一，适配高压大功率极端环境。
生产优势：可像硅一样直接拉出单晶，杭州企业已实现 12 英寸等径晶体生长，单位成本较氮化镓暴跌 80%，解决了氮化镓依赖特殊衬底、工艺慢、成本高的问题。
性能突破：搭配金刚石散热技术后，雷达发射功率有望再翻数倍，对普通高空目标探测距离或突破 600 至 800 公里，对美国 F-35B 等隐身战机的锁定距离被推至三百多公里。美国因技术壁垒和镓资源限制，暂无法跟进相关研发。
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